快科技 1 月 5 日音信，据韩国朝鲜日报报导，三星 DS 部门存储业务部最近完成了 HBM4 内存的逻辑芯片设想。Foundry 业务部方面也一经把柄该设想，采用 4nm 试产。 待完成逻辑芯片最终性能考证后，三星将提供 HBM4 样品考证。

逻辑芯片即 Logic die（笔名 Base die），对 HBM 堆叠线路大脑作用，认真收尾上方多层 DRAM 芯片。

报导援用韩国阛阓东谈主士说法，运行时发烧是 HBM 的最大敌东谈主，而在堆栈举座中逻辑芯片更是发烧大户，采先进制程有助改善 HBM4 能效与性能线路。

除自家 4nm 制造逻辑芯片外，HBM4 还导入 10nm 制程出产 DRAM。

HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，主要利用于高性能策动（HPC）、东谈主工智能（AI）和图形管理（GPU）等规模。

HBM 的优点在于突破了内存带宽及功耗瓶颈。其中枢上风在于采用了 3D 堆叠本事，将多个 DRAM 芯片垂直堆叠在一齐，通过硅通孔（TSV）本事收场芯片间的高速信号传输，大大裁减了数据传输的距离和蔓延，从而随机以极高的带宽为管理器提供数据撑捏。

HBM 特点尤其妥当搭配 GPU 进行密集数据的管理运算。英伟达新一代 AI 芯片，均搭载 HBM 内存。

HBM 居品问世于今，HBM 本事一经发展至第六代，分裂为 HBM、HBM2、HBM2e、HBM3，HBM3e（HBM3 的蔓延版块）以及 HBM4。

HBM1 当作最早的版块，带来了 128GB/s 的带宽，开启了高带宽内存的利用。随后，HBM2、HBM3 等接踵问世，每一代齐在带宽、容量和能效等要津目标上收场了权贵突破。

从业界数据来看，HBM4 轨范撑捏 2048 位接口和 6.4GT/s 的数据传输速度。比拟 HBM3E，HBM4 的单个堆栈带宽已达到 1.6TB/s，极地面提高了内存系统的数据微辞才略，随机更高效地餍足东谈主工智能、深度学习、大数据管理和高性能策动等规模对内存性能日益苛刻的需求。

HBM 供应商在各代居品中连续会推出不同堆栈层数的居品，如 HBM3e 的 8hi（8 层）及 12hi（12 层），而 HBM4 世代则贪图了 12hi 及 16hi。

客岁 11 月，三星电子存储部门扩充副总裁 Jaejune Kim 在第三季度财报公布后召开的电话会议上暗意，本年三季度 HBM 总销售额环比增长跳跃 70%，HBM3E 8 层和 12 层堆叠居品均已量产并启动销售，HBM3E 的销售占比已高潮至 HBM 总销售额的 10% 控制，预测第四季度 HBM3E 将占 HBM 销售额的 50% 控制。

三星的 HBM4 成接事责正在按洽商进行，标的是在 2025 年下半年启动量产。